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場效應管做開關電路圖(兩款電路圖分享)
2022-06-19

開關電路是指具有“接通”和“斷開”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開關電路。邏輯門電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開關電路。 開關電路的原理是由開關管和PWM(Pulse Width ModulaTIoon)控制芯片構成振蕩電路,產(chǎn)生高頻脈沖。將高壓整流濾波電路產(chǎn)生的高壓直流電變成高頻脈沖直流電,送到主變壓器降壓,變成低頻脈沖直流電。 場效應管做開關電路圖一 場效應管要注意防靜電。很容易燒壞的。舉個例子:做一個場效應管的的開關電路,控制25w 24v的電磁鐵 ,電源 直流24v ,信號電壓 8v,最低1.7v ,信號和輸出都是兩個 ,一個離合, 一個剎車 ,交替運行 每秒大約5次。方法:1.7至8V的信號電壓通過限流電阻接至三極管基極,三極管集電極觸發(fā)由CD4013數(shù)字集成電路電路組成的單穩(wěn)態(tài)電路,數(shù)字電路4013的輸出端Q和Q非分別驅(qū)動2個場效應管,二個效應管均可驅(qū)動電磁鐵線圈,使離合、剎車交替進行,選取合適的單穩(wěn)態(tài)電阻和電容元件可以使離合 、剎車每秒1次以上。 場效應管電壓控制元件,僅僅在開關時候需要從柵極吸收或者釋放電流,因此驅(qū)動損耗較小。多子器件,沒有電導調(diào)制效應,有一個近似線性I-V關系,導通壓降隨著電流增大增大。高耐壓的場效應管的漂移區(qū)較厚,因此導通電阻較大。導通電阻具有正溫度系數(shù),并聯(lián)時候可以實現(xiàn)自動均流。硅半導體的MOSFET耐壓等級為600V以下。這是因為導通壓降和耐壓的關系的限制。新型的碳化硅MOSFET的耐壓等級可以做到1200V。對于高耐壓情況,IGBT結合了MOSFET和晶體管的特性,具有MOSFET優(yōu)異的開關性能和晶體管的靜態(tài)性能,在1000V~6000V應用場合更受到青睞。 場效應管做開關電路圖二 圖中電池的正電通過開關S1接到場效應管Q1的2腳源極,但由于Q1是一個P溝道管,它的1腳柵極通過R20電阻提供一個正電位電壓,所以不能通電,電壓不能繼續(xù)通過,所以此時是關機狀態(tài)。當按下SW1開機按鍵時,正電通過按鍵、R11、R23、D4加到三極管Q2的基極,這時三極管Q2的基極得到一個正電位,三極管導通。而由于三極管的發(fā)射極直接接地,三極管Q2導通就相當于Q1的柵極直接接地,加在它上面的通過R20電阻的電壓就直接入了地,Q1的柵極就從高電位變?yōu)榈碗娢?,Q1導通電就從Q1同過加到3v穩(wěn)壓IC的輸入腳,3v穩(wěn)壓IC就是那個U1輸出3v的工作電壓vcc供給主控,主控通過復位清0。通過讀取固件程序檢測等一系列動作,輸出控制電壓到PWR_ON再通過R24、R13分壓送到Q2的基極,Q2一直保持導通狀態(tài),即使你松開開機鍵斷開Q1的基極電壓,Q2的導通狀態(tài)還是能由主控電壓保持著,這時電源處于開機狀態(tài)。 SW1還同時通過R11、R30兩個電阻的分壓,給主控PLAYON腳送去時間長短、次數(shù)不同的控制信號,主控通過固件鑒別是播放、暫停、開機、關機而輸出不同的結果給相應的控制點,以達到不同的工作狀態(tài)。

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